**晶圆切割机如何进口报关
展开全部 需要准备相应进口设备清关的资料:装箱单、发票、 合同;正本提单或电放提单+ 电放保函;报关委托书,报检委托书;海关、商检十位代码;报关单、设备的申报要素(工艺,功能,技术参数等等)货物到到港后——换单——报检——报关——出税(交税)——查验(随机产生)——放行——动卫检——送货...
如何看待**联电收购**12英寸晶圆厂?
这里的发达是相对的,相对**这种发展**家,肯定发达啊,但相对**还是有差距的(不可否认,在一些技术上,它甚至比**还强),特别是一些核心技术,它还有很大的差距(别忘了,它是唯一每年还技术进口的发达国家)电子行业是个很大的行业,不仅仅包括电脑。
这里说明下,制作主板并不需要很高的技术的,你看**大陆那么多主板厂,还有N多山寨主板厂。
用于商业的CUP这世界实际就三家,INTEL,AMD,盛威,这就是一个国家的核心技术了,连欧洲都没,何况**。
正如你所说它的电子行业发达,它的数码产品等,单反**至今都造不出来。
主板上的好电容基本都是用的**的,**造不出来。
**的电子行业发达并不是每样都发达,而是某一方面。
**发展最好的产业是什么产业?
展开全部 **三大产业: 1、70年代以后,汽车业取代了钢铁业成为**的支柱产业 2、年产值230万亿日元的**第二大支柱产业:动漫 3、电子产业**是世界上数字媒体产业最发达的国家之一,成为**目前三大经济支柱产业之一 瑞萨电子正式宣布收购IDT。
根据协议,瑞萨电子将以每股49.00美元的价格,总股权价值约67亿美元全现金交易方式收购IDT。
瑞萨方面表示,本次收购是嵌入式处理器和模拟混合信号半导体两大行业领导者的整合,双方通过各自优势产品能够优化高性能计算电子系统的性能和效率。
这是继早两年收购Intersil之后,**巨头的又一单重磅交易。
但其实回顾过去几年**芯片企业动态,我们可以看到,**企业正在通过收购和合作等各种方式,增强芯片产业的实力。
在经过一系列的操作之后,他们似乎离其目标也越来越近了。
不过在谈这个之前,我们先解一下**集成电路产业的辉煌史。
曾占全球芯片半壁江山 回顾集成电路产业的发展史,**是唯一一个曾经有能力与**分庭抗礼的国家。
1990年到2017年的全球不同地区的IC销售走势 根据ICinsights的数据显示,在1990年,**IC市场的份额(不包括代工厂)高达49%,远远超过第二的**的。
当时的NEC、东芝、日立、松下等厂商依赖于产品的技术和价格优势,在全球制造了巨大的影响力。
从Gartner的统计中我们可以看到,1990年全球排名前二十的半导体厂商中,有一半厂商是来自**;如果单统计前十的半导体厂商,更是有六家是来自**,前两位分别是来自**的NEC半导体和东芝半导体,与排名第三的摩托罗拉半导体相比,优势明显。
1990年全球排名前二十的半导体厂商 纵观**半导体的发展,这个成绩主要与他们从八十年代开启一系列推动计划有关。
集成电路是由德州仪器工程师杰克·基尔比在上世纪五五六十年代发明的,并在之后取得了跨越式的发展,而**也一直处于全球领先的位置。
虽然**也很早就聚焦集成电路产业的研究,但是与**相比,仍然差距很大。
到了上世纪七十年代前期,**计算机产业还整体落后**十年以上,为了寻找超越的机会,**产学研将目光投向了超大规模集成电路(VLSI)。
在20世纪70年代,****府与NEC、日立、三菱、富士通和东芝五家**最大的计算机公司,**通产省的电气技术实验室,还有CDL(由日立、三菱和富士通联合组建)和NTIS(NEC和东芝联合组建)这两个研究机构联手签订了VLSI研究协会,计划投入3.06亿美元去钻研VLSI。
经过十年的合作,VLSI研究协会共申请了1000多项专利,其中600多项获得了专利权。
这些技术让**在DRAM产业获得了世界领先的地位。
后来**在八九十年代打败**,成为全球DRAM老大,就是依赖于此时打下的基础。
从某个角度看,VLSI计划奠定了**整个微电子产业后来发展的基础。
但**方面也看到,虽然通过VLSI项目的实施,提升了整体的技术水平,但是**企业仍然需要面对如何进一步提升公司自身在国际市场的竞争力的问题。
于是他们选择了通过进攻半导体掌握核心的方式。
以NEC为例,这个**领头羊在上世纪八十年代初期的营收只有38亿美元,但通过与**惠普和贝尔等诸多公司合作发展半导体技术(仅仅在1987年合作项目就达到100项),让他们在短短八年内,将销售额提升到219亿美元。
按照NEC的说法,合作的意图不是仅仅为了解决某些具体技术,而是定位于技术的入口,为了获取进人新领域的技术能力而进行合作。
正是在这些方针的领导下,**打造了一个巨大的集成电路航空母舰。
**回击 根据国君电子的统计显示,1970年~1985年的15年间,**电子产业产值增长5倍,内需增长3倍,出口则增长了11倍之多。
在DRAM市场中,**企业从20世纪70年代后半期开始快速成长起来,并凭借兼具高质量和成本优势的产品迅速渗透**乃至全球市场。
从64KB时代到1MB时代,全球最大供应商一直被**企业牢牢占据。
**电子产业产值、内需、出口值 1986年,**企业在世界DRAM市场所占的份额接近80%。
前文也提到,在九十年代初期,**在全球半导体产业的巨大号召力。
上文的ICinsights统计数据也展现了**到1990年,芯片的全球占有率依然高企。
作为集成电路发明者的**,在**的步步紧逼之下,他们从上世纪八十年中期就开始了回击。
资料显示,1985年美日就开始就半导体问题进行谈判。
当时**向**的相关负责人表示,要求他们将**在**的市场份额提升到20%~30%,并建立价格监督机制,终止第三国倾销。
虽然**人当时极不情愿,但是他们还是接受了这个苛刻的条款。
但到了1987年,美日的贸易逆差进一步拉大,且其半导体产品在**的份额并没有提升。
为此山姆大叔再次旧事重提,与**开始了第二次谈判。
当时的里根**府要求**必须改善市场准入和停止在第三国倾销。
再加上后面的一系列半导体协议,到了1996年,**的半导体已经今非昔比。
全球半导体龙头的位置,也在1992年被**Intel反超。
市场需求的转变,也是造成**集成电路产业现状的其中一个原因。
从九十年代开始,以PC...
CPU明年涨价是真的吗
全球硅晶圆第二大供应商**胜高(Sumco)CEO Hashimoto Mayuki曾表示,全球半导体行业对300mm硅晶圆的需求目前为每月560万块,预计到2020年将增至每月660万块,为此他们计划到2019年将月产能提高至11万块。
同样的,德国Siltronic也会扩充产能至每月7万块晶圆。
另外,不仅仅是原材料的价格有所上涨,就连CPU制造设备光刻机也出现了涨价的趋势。
光刻机霸主荷兰ASML,其预计2017年收入将增长25%,主要是光刻机越来越复杂、昂贵(一台EUV极紫外光刻机就得七八个亿人民币),市场需求又越来越高,所以涨价也是顺理成章的事了。
硅晶圆与光刻机是制造CPU必不可少的,制造消费级x86微处理器的英特尔及AMD需要依赖上游厂商为他们输送原材料及制造设备。
受此影响,CPU的价格上涨也是不可避免的了,至于明年CPU会涨价多少,就看市场如何的走势了。
电子行业怎么去开发**的市场会比较好?
什么是3D NAND闪存?从新闻到评测,我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了,首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
3D NAND与2D NAND区别3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈,这只是其中的一种,还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势?在回答3D NAND闪存有什么优势的时候,我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND闪存跟处理器不一样,先进工艺虽然带来了更大的容量,但NAND闪存的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下,3D NAND解决问题的思路就不一样了,为了提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了,比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2,而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2,48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路,主流工艺是15/16nm,但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了,而3D NAND闪存还会继续走下去,目前的堆栈层数不过32-48层,厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中,三星最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间,Intel、美光去年才推出3D NAND闪存,Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD,不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同,堆栈的层数也不一样,而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存,它跟目前的3D闪存有很大不同,属于杀手锏级产品,值得关注。
四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色上述3D NAND闪存中,由于厂商不一定公布很多技术细节,特别是很少提及具体的制程工艺,除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场,代表性产品也不足。
三星:最早量产的V-NAND闪存三星是NAND闪存市场最强大的厂商,在3D NAND闪存上也是一路领先,他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。
在3D NAND路线上,三星也研究过多种方案,最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存,目前已经发展了三代V-NAND技术,堆栈层数从之前的24层提高到了48层,TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量产了3D NAND闪存值得一提的是,三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势,他们首先选择了CTF电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)路线,相比传统的FG(Floating Gate,浮栅极)技术难度要小一些,这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章:NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解东芝/闪迪:独辟蹊径的BiCS技术东芝是闪存技术的发明人,虽然现在的份额和产能被三星超越,不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大,很早就投入3D NAND研发了,2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了,2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的,但制造工艺复杂,要求很高,而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling,强调的就是随NAND规模而降低成本,号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。
东芝的BiCS技术3D NAND东芝和闪迪是战略合作伙伴,双方在NAND领域是共享技术的,他们的BiCS闪存去年开始量产,目前的堆栈层数是48层,MLC类型的核心容量128Gb,TLC类型的容量可达256Gb,预计会在**四日市的Fab 2工厂规模量产,2016年可以大量出货了。
SK Hynix:闷声发财的3D NAND在这几家NAND厂商中,SK Hynix的3D NAND最为低调,相关报道很少,以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料,不过从官网公布的信息来看,SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存,只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场,今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E...
晶圆为什么是圆的?
帮你找的答案:展开全部世界选择圆型,自然是有其必然性的. 看看其后的成本问题就很清楚了.之所以晶圆都做成圆形,主要的是考虑单位面积利用率和生产问题. 首先硅锭被"拉"出来的时候就一定是圆的,几乎不可能直接获得方的硅锭,除非将圆的硅锭切削成方的,但这样无异于浪费. 比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形,考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的. 再则, 很多晶圆生产设备的工艺原理必然要求选择圆型晶圆. 圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求,可以想象一下,在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin coating,事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层,但其它形状的晶圆呢? 不可能或非常难,可以的话也是成本很高. 当然,还有很多其它的工艺容易在圆型晶圆上实行而很难在其它形状上实施. 当然,我也觉得或许在人们开始规模制作晶圆的时候一开始就用诸如正方型的晶圆的话, 我们现在也可能还在继续发展方型晶圆,只不过现在所有的晶圆加工设备都是为圆型晶圆设计的,这是世界标准....